壓力變送器的最高精度能夠達(dá)到量程的萬分之五，因此其零點(diǎn)漂移是不能忽略的。單晶硅類壓力傳感器因精度高、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，對溫度的變化較其它類傳感器異常敏感。經(jīng)過試驗(yàn)得出單晶硅的導(dǎo)電能力隨溫度的增加按指數(shù)規(guī)律增長，因此由單晶硅制作的壓力變送器受溫度影響后，傳感器的輸出信號將產(chǎn)生零點(diǎn)溫度漂移。

       零點(diǎn)溫度漂移：理想情況下單晶硅上的組成惠斯頓電橋的4個擴(kuò)散電阻阻值是嚴(yán)格相等的，因而在電橋處于平衡狀態(tài)時，電橋的輸出電壓為零。但在傳感器加工過程中，由于被連接成惠斯頓電橋的四個擴(kuò)散電阻阻值不可能控制到完全相等，所以當(dāng)壓力為零時，惠斯頓電橋的輸出不為零，這種零點(diǎn)輸出將隨溫度的變化而產(chǎn)生漂移，即產(chǎn)生零點(diǎn)溫度漂移。

       針對零點(diǎn)溫度漂移，壓力變送器在設(shè)計(jì)時采用溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)，減少溫度對傳感器的精度影響，在生產(chǎn)時采用多點(diǎn)溫度和多點(diǎn)壓力組合標(biāo)定的形式得出溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)矩陣，并在傳感器內(nèi)放置溫度傳感器，使在現(xiàn)場使用時實(shí)時采集過程溫度，然后利用三維數(shù)據(jù)擬合的方式，進(jìn)行軟件溫度補(bǔ)償，以較少溫度對零點(diǎn)的影響。